特許

J-GLOBAL ID：200903034003680190

半導体チップ、半導体チップの端子の形成方法及び半導体チップの接合方法

発明者： 林田 英徳 ,  土屋 昇二 ,  上田 重昭
出願人/特許権者： 株式会社ワールドメタル
代理人 (1件)： 田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-292250
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130227
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体チップの入出力端子の半田づけ性、基板に対する密着性、ボンディング性を大きく向上させ、半田バンプを形成することなく半導体チップを基板へワイヤーレスボンディングで直接的に実装できるようにする。特に、リペア工程においても高い密着強度で半導体チップを基板に実装できるようにする。【構成】 半導体チップの入出力端子を、アルミニウム等の基材金属層2と、その上に順次積層されたニッケル合金薄層3及び貴金属薄層4とから構成する。ニッケル合金薄層3としては、Niを主成分とし、Cu、Mn、Mg、Cr、Si、W、Au、Ti及びVの少なくとも1種を含有する合金層を無電解メッキにより形成する。また、入出力端子の基材金属層2上にニッケル合金薄層3と貴金属薄層4とを積層後、熱処理により各層の界面の密着強度を向上させる。

請求項（抜粋）：

入出力端子が、基材金属層とその上に順次積層されたNi合金薄層及び貴金属薄層とからなり、該Ni合金薄層がNiを主成分とし、Cu、Mn、Mg、Cr、Si、W、Au、Ti及びVの少なくとも1種を含有する合金からなることを特徴とする半導体チップ。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 21/285 301

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電極の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-141430   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭63-305532
  
• 半導体素子の電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-015188   出願人：松下電器産業株式会社
• チップマウント方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-074302   出願人：株式会社ワールドメタル, ハイソール株式会社