特許
J-GLOBAL ID：200903034021441829

液晶配向膜とその製造方法およびそれを用いた液晶表示装置とその製造方法

発明者：
小川 一文

小川 一文 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-148274
公開番号（公開出願番号）：特開平10-339876
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】電極の形成された表面に薄膜を形成した後その表面をラビングし、任意の表面エネルギーを有する単分子膜状の配向膜を形成することにより、液晶の配向方向はラビングの方向で制御し、液晶のプレチルト角度は単分子膜状の被膜の表面エネルギーで制御して信頼性の高い液晶表示素子を提供する。【解決手段】表面に透明電極の形成されたガラス基板23,26を準備し、洗浄脱脂した後、ゾルゲル法を用いて約0.1μmの厚みでSiO2の保護膜を形成した後、加熱硬化した。次に表面をレーヨン製ラビング布を用いて、押し込み深さ0.3mm,スピード80m/分で希望する配向方向に向けてラビングを行った。次に化学吸着物質としてClSi(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2ClとCH3(CH2)14SiCl3を1:0〜0:1の間で混合して用いた場合、臨界表面エネルギーは混合比に応じて35mN/mから21mN/mの範囲で制御できた。プレチルト角は5度から90度の範囲で制御できた。
請求項（抜粋）：
あらかじめ電極が形成され且つ前記電極表面が直接または任意の薄膜を形成した後ラビングされている基板の表面に単分子膜状の被膜が形成されていることを特徴とする液晶配向膜。
IPC (2件)：
G02F 1/1337 500 ,  G02F 1/1337 520
FI (2件)：
G02F 1/1337 500 ,  G02F 1/1337 520
引用特許：
審査官引用 (3件)

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