特許
J-GLOBAL ID:200903034048838127

半導体チップ、半導体チップの端子の形成方法及び半導体チップの接合方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田治米 登 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-292249
公開番号(公開出願番号):特開平7-183327
出願日: 1994年10月31日
公開日(公表日): 1995年07月21日
要約:
【要約】【目的】 半導体チップの入出力端子の半田づけ性、基板に対する接着性、ボンディング性を大きく向上させ、半田バンプを形成することなく半導体チップを基板へワイヤーレスボンディングで直接的に実装できるようにする。【構成】 半導体チップの入出力端子を、アルミニウム等の基材金属層2と、その上に順次積層されたニッケル薄層3及び貴金属薄層4とから構成する。基材金属層2の表面を塩化パラジウム等のパラジウム水溶液で下地処理した後に、ニッケル薄層3及び貴金属薄層4をそれぞれ無電解メッキ法により形成する。
請求項(抜粋):
入出力端子が、基材金属層とその上に順次積層されたニッケル薄層及び貴金属薄層とからなることを特徴とする半導体チップ。
IPC (2件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 301
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭63-305532
  • 電極の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-141430   出願人:セイコーエプソン株式会社
  • 半導体素子の電極形成方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-015188   出願人:松下電器産業株式会社
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