特許
J-GLOBAL ID：200903034080257918

電力用半導体装置

発明者：
山田 順治

山田 順治 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-105046
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299552
出願日： 2001年04月03日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 大きな電流の取扱いが可能でありつつ、小型にまた一層短時間で製造可能である電力用半導体装置を提供する。【解決手段】 ケース内側で絶縁基板上に形成された複数の回路パターンうちの1つに載置される電力用半導体素子から、ケース外側で露出する外部接続用端子まで電極を取り出す電極構造を備えた電力用半導体装置において、上記外部接続用端子が、ケース本体にインサート成形され、その一端側でケース外側に露出する一方、その他端側で上記電力用半導体素子が載置される回路パターンとは別の回路パターンに接合されるとともに、その接合側の面と反対の面にボンディングされたワイヤ部材を介して、上記電力用半導体素子と接続配線されている。
請求項（抜粋）：
ケース内側で絶縁基板上に形成された複数の回路パターンうちの1つに載置される電力用半導体素子から、ケース外側で露出する外部接続用端子まで電極を取り出す電極構造を備えた電力用半導体装置において、上記外部接続用端子が、ケース本体にインサート成形され、その一端側でケース外側に露出する一方、その他端側で上記電力用半導体素子が載置される回路パターンとは別の回路パターンに接合されるとともに、その接合側の面と反対の面にボンディングされたワイヤ部材を介して、上記電力用半導体素子と接続配線されていることを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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