特許
J-GLOBAL ID：200903034176566075

半導体素子搭載用基板とその製造方法および半導体装置

発明者：
安田 誠之

安田 誠之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-244374
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092877
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子と半導体素子搭載用基板との膨張係数の差によるバンプの破壊を防止し、接合部の電気的信頼性の向上を図る。【解決手段】 搭載用基板1は、電極12が形成された基板本体11上に、半導体素子を電極12とバンプ接合することにより搭載するためのもので、基板本体11上に、電極12の厚みよりも厚く絶縁層13が形成されるとともに、絶縁層13の電極12の直上位置に電極12の上面に接触しかつ表面が外部に臨む導電体溜14が設けられてなる。この導電体溜14は、塑性変形が可能な導電材料からなる。また搭載用基板1と、導電体溜14とバンプとの接合によって搭載された半導体素子とによって半導体装置を構成する。
請求項（抜粋）：
電極が形成された基板本体上に、半導体素子を前記電極とバンプ接合することにより搭載するための半導体素子搭載用基板であって、前記基板本体上に、前記電極の厚みよりも厚く絶縁層が形成されるとともに、該絶縁層の前記電極の直上位置に該電極の上面に接触しかつ表面が外部に臨む導電体溜が設けられてなり、該導電体溜は、塑性変形が可能な導電材料からなることを特徴とする半導体素子搭載用基板。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 F
引用特許：
審査官引用 (4件)
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