特許
J-GLOBAL ID：200903034250673326

薄膜磁性体記憶装置

発明者：
日高 秀人

日高 秀人 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-296375
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115188
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：
【要約】【課題】 製造工程の複雑化を招くことなく、磁化特性が単純で、かつ動作マージンを確保できるMTJメモリセルを有する薄膜磁性体記憶装置を提供する。【解決手段】 トンネル磁気抵抗素子100aにおいて、自由磁化層103および104は、記憶データに応じた磁化方向を有する。自由磁化層103および104は、非磁性の導電体で形成される中間層107を挟むように配置される。データ書込時において、中間層107には、書込まれる記憶データのレベルに応じた方向のデータ書込電流が流される。中間層を流れる電流によって生じる磁界によって、自由磁化層103および104は、ループ状に磁化される。
請求項（抜粋）：
各々がデータ記憶を実行する複数のメモリセルを備え、各前記メモリセルは、記憶データに応じて電気抵抗値が変化する磁気記憶部と、導通時において、前記磁気記憶部にデータ読出電流を通過させるための読出アクセス素子とを含み、前記磁気記憶部は、固定された磁化方向を有する第1の磁性体層と、印加されるデータ書込磁界に応じて、互いに逆方向に磁化される第2および第3の磁性体層と、前記第2および第3の磁性体層の間に形成される非磁性かつ導電性の中間層と、前記第2および第3の磁性体層の一方と、前記第1の磁性体層との間に形成される絶縁層とを有し、データ書込時において、前記データ書込磁界の少なくとも一部は、前記中間層を流れる第1のデータ書込電流によって発生される、薄膜磁性体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (5件)：
G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 E ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (12件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083GA30 ,  5F083KA06 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083LA26 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083ZA28
引用特許：
審査官引用 (4件)
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