特許
J-GLOBAL ID：200903034264360690

成膜装置用の基板回転機構

発明者：
山田 鈴弥

山田 鈴弥 について

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川越 美満

川越 美満 について

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山崎 清一

山崎 清一 について


出願人/特許権者：
電気化学工業株式会社

電気化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-155468
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340403
出願日： 2004年05月26日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】成膜時に高温下でNH3を用いる成膜装置に適用できる基板回転機構を提供する。【解決手段】成膜される基板を回転しつつ保持するための基板トレイと、前記基板トレイを回転自在に保持する基板トレイ保持部と、前記基板トレイと基板トレイ保持部との間に存在する摺動部とからなる基板回転機構であって、前記摺動部が窒化珪素質焼結体からなることを特徴とする基板回転機構であり、好ましくは、基板トレイが、窒化硼素を5〜50質量%含有する窒化珪素質焼結体からなり、また、基板トレイ保持部が、窒化硼素を5〜50質量%含有する窒化珪素質焼結体からなることを特徴とする前記の基板回転機構であり、更に好ましくは、成膜装置が900°C以上で窒化物を形成する成膜装置であることを特徴とする前記の基板回転機構である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
成膜装置用の基板回転機構であって、成膜される基板を回転しつつ保持するための基板トレイと、前記基板トレイを回転自在に保持する基板トレイ保持部と、前記基板トレイと基板トレイ保持部との間に存在する摺動部とからなり、前記摺動部が窒化珪素質焼結体からなることを特徴とする成膜装置の基板回転機構。
IPC (4件)：
H01L21/205 ,  C04B35/584 ,  C23C16/44 ,  H01L21/68
FI (5件)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 G ,  H01L21/68 N ,  C04B35/58 102Y ,  C04B35/58 102E
Fターム (23件)：
4G001BA32 ,  4G001BA33 ,  4G001BB32 ,  4G001BB33 ,  4G001BD38 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA05 ,  4K030GA13 ,  4K030JA10 ,  4K030KA46 ,  4K030LA12 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA59 ,  5F031MA28 ,  5F031PA30 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AD13 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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