基板の表面の局所化された液体処理のための方法及び装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-122236
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124501
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】洗浄又はエッチングを目的として、基板の局所化された領域の表面の上に液体を分配する。【解決手段】基板1の一部の上に液体を分配して上記基板1を洗浄又はエッチングする一方、上記基板1の他の部分は上記液体と接触することを防止される方法であって、上記方法は、上記基板1の一部の上に液体を供給するステップと、上記液体を供給するステップと同時に、表面にガス状の界面活性物質を供給するステップとを含む。上記ガス状物質は、上記液体と少なくとも部分的に混和可能であり、上記液体と混合されたとき上記液体よりも低い表面張力を有する混合物を生じさせ、よって上記液体は上記基板の表面の局所化された領域に包含される。

請求項（抜粋）：

基板の一部の上に液体を分配して上記基板を洗浄又はエッチングする一方、上記基板の他の部分は上記液体と接触することを防止される方法であって、上記方法は、上記基板の一部の上に液体を供給するステップと、上記液体を供給するステップと同時に、表面にガス状の界面活性物質を供給するステップとを含み、上記ガス状物質は、上記液体と少なくとも部分的に混和可能であり、上記液体と混合されたとき上記液体よりも低い表面張力を有する混合物を生じさせる方法。

IPC (9件)：

H01L 21/304 641 , H01L 21/304 642 , H01L 21/304 643 , H01L 21/304 647 , H01L 21/304 648 , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 500 , H01L 21/027 , H01L 21/306

FI (9件)：

H01L 21/304 641 , H01L 21/304 642 Z , H01L 21/304 643 A , H01L 21/304 647 B , H01L 21/304 648 J , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 500 , H01L 21/306 J , H01L 21/30 572 B

Fターム (11件)：

2H088FA30 , 2H088MA20 , 2H090JA13 , 2H090JC19 , 5F043EE03 , 5F043EE07 , 5F043EE08 , 5F043EE40 , 5F046MA02 , 5F046MA05 , 5F046MA10

引用特許：

審査官引用 (7件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-030511 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
半導体ウエハの処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-157048 出願人：株式会社小松製作所
基板表面の液体を遠心機内で除去する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-059323 出願人：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン

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