特許
J-GLOBAL ID:200903034291621713

オプトエレクトロニクス用半導体チップ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-586410
公開番号(公開出願番号):特表2004-524710
出願日: 2002年04月26日
公開日(公表日): 2004年08月12日
要約:
半導体チップ、殊に、発光ダイオードは、基板(2)を有しており、基板上に、活性層(5)と共に半導体層列(3)が堆積されている。半導体層列(3)の上側に、ビーム出力結合に関して、半球レンズ(7)の機能を有するフレネルレンズの形式に構造化された階段状の窓層(6)が設けられている。そうすることによって、半導体チップを特に高い出力結合効率にすることができる。
請求項(抜粋):
光量子放出活性領域(5)と後続の窓層(6)を有する半導体層列(3)が設けられているオプトエレクトロニクス用の半導体チップにおいて、 窓層(6)は、フレネルレンズの形式による領域内で構造化されており、該構造化の結果、活性領域(5)から放射されたビームが、前記窓層(6)との境界面上の領域内で、前記活性領域(5)の方に向かって傾斜している包囲媒質の方に入射するように構成されていることを特徴とする半導体チップ。
IPC (1件):
H01L33/00
FI (1件):
H01L33/00 M
Fターム (3件):
5F041AA03 ,  5F041AA06 ,  5F041CB14
引用特許:
審査官引用 (13件)
  • 発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-064003   出願人:ヒューレット・パッカード・カンパニー
  • 特開昭59-051580
  • 特開昭59-051580
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