特許

J-GLOBAL ID：200903034297461017

多層基板及びパワーアンプモジュール

発明者： 露谷 和俊 ,  勝俣 正史 ,  阿部 敏之
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (2件)： 木村 満 ,  毛受 隆典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-331890
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210074
出願日： 2004年11月16日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】 小型で、周囲のデバイスの影響を受けにくい多層基板及びパワーアンプモジュールを提供する。【解決手段】 第8の誘電体層の表面に形成されている導体パターンは電極領域C1aと共に電極領域C1aとビア5とを電気的に接続する引出電極領域を含んでいる。半導体素子S1及びS2と外部接続端子Vccとを接続するビア5から引き出された信号ラインである引出電極領域によって、電極領域C1aと半導体素子S1,S2及び外部接続端子Vccとを電気的に接続する。このようにして、誘電体基板の内層に、自己共振周波数の高いバイパスコンデンサを形成することができ、この結果、小型で、外部接続端子Vccのインピーダンスの影響、換言すれば周囲のデバイスの影響を受けにくいパワーアンプモジュールを提供することができる。【選択図】 図14

請求項（抜粋）：

表面に電極を備える複数の誘電体層を積層して形成した多層基板であって、 前記多層基板の一主面に搭載されている半導体素子と他主面に付与されている電源端子とをビアホールを介して電気的に接続するビアを備え、 前記誘電体層を挟む第1及び第2の電極のうち、前記第1の電極を前記ビアから引き出された信号ラインにより前記半導体素子と前記電源端子とに電気的に接続すると共に、第2の電極を接地することによって、前記多層基板の内層にバイパスコンデンサを形成した、 ことを特徴とする多層基板。

IPC (2件)：

H05K3/46 ,  H01L23/12

FI (3件)：

H05K3/46 Q ,  H01L23/12 E ,  H01L23/12 B

Fターム (5件)：

5E346AA43 ,  5E346BB02 ,  5E346BB03 ,  5E346BB04 ,  5E346FF45

引用特許：

出願人引用 (3件)

• パワーアンプモジュール、パワーアンプモジュール用誘電体基板及び通信端末装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-238180   出願人：ティーディーケイ株式会社
• プリント基板内蔵型バイパスコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-011343   出願人：日本電気株式会社
• バイパスコンデンサー付き半導体集積回路搭載用配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-091793   出願人：住友金属鉱山株式会社

審査官引用 (2件)

• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-109208   出願人：日本特殊陶業株式会社
• モジュール部品及びその調整方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-389930   出願人：ティーディーケイ株式会社