パワーアンプモジュール、パワーアンプモジュール用誘電体基板及び通信端末装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阿部美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-238180
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141757
出願日： 2001年08月06日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】小型で、放熱性に優れ、オン抵抗増加による出力低下や効率低下を防止するのに有効なパワーアンプモジュールを提供する。【解決手段】誘電体基板1は、誘電体層11〜15を含む。誘電体層11〜15の少なくとも一つは、有機樹脂材料とセラミック誘電体粉末とを含む混合材料でなるハイブリッド層である。ハイブリッド層は、比誘電率が7〜14の範囲にあり、誘電正接が0.01〜0.002の範囲にある。回路要素の少なくとも一部は誘電体層11〜15の内のハイブリッド層を利用する。

請求項（抜粋）：

誘電体基板を含み、通信端末の送信部に用いられるパワーアンプモジュールであって、前記誘電体基板は、少なくとも1つのハイブリット層と、複数の回路要素とをを含んでおり、前記ハイブリット層は、有機樹脂材料と、セラミック誘電体粉末とを含む混合材料でなり、比誘電率が7〜14の範囲にあり、誘電正接が0.01〜0.002の範囲にあり、前記複数の回路要素の少なくとも一部は、前記ハイブリット層を利用するパワーアンプモジュール。

IPC (8件)：

H03F 3/60 , H01L 23/12 , H01L 23/12 301 , H01L 23/14 , H01L 23/15 , H01L 25/00 , H05K 1/03 610 , H05K 1/03

FI (9件)：

H03F 3/60 , H01L 23/12 301 Z , H01L 25/00 B , H05K 1/03 610 H , H05K 1/03 610 L , H05K 1/03 610 R , H01L 23/14 R , H01L 23/14 C , H01L 23/12 J

Fターム (13件)：

5J067AA04 , 5J067AA41 , 5J067CA92 , 5J067FA16 , 5J067HA29 , 5J067KA29 , 5J067KA68 , 5J067KS11 , 5J067KS15 , 5J067LS12 , 5J067QA04 , 5J067SA14 , 5J067TA01

引用特許：

審査官引用 (10件)

無線通信方法および無線通信機ならびに高周波パワーモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-143914 出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
半導体装置、半導体集積回路および高周波処理回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-054829 出願人：三洋電機株式会社
樹脂組成物、および成形品
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-328159 出願人：日本ゼオン株式会社

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