蛍光体及び蛍光体の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西村教光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077823
公開番号（公開出願番号）：特開平11-279550
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：

【要約】【課題】粉体状のGaN蛍光体とその製造方法を提供する。【解決手段】蛍光体の製造装置1は、真空容器1と、原料ガスの導入管3と、粒子の容器4と、加熱用のランプ6と、容器4を振動させる攪拌機7を有する。原料ガスとして、TMGa(トリメチルGa)、アンモニアガス(NH3 )、DMZn(ジメチル亜鉛)、SiH4 (シラン)を用いる。粒子(粉体)として平均粒径が1μmのAlNを用いた。ランプ加熱により1020°Cに設定し、粒子上に半導体膜を成長させた。AlNの粒子の表面に形成されたGaN:Zn,Siを窒素中で700°Cでアニールし、蛍光体を得た。PLを観察したところ、青色の発光が得られた。また、これをVFD(蛍光表示管)の陽極基板に塗布して陽極電圧30Vで発光させて評価したところ、青色の発光が得られ、その時の輝度は約500cd/m2 であった。

請求項（抜粋）：

粒子の表面でヘテロエピタキシャル成長したIII-V族化合物半導体微粒子又は薄膜を有する蛍光体。

IPC (2件)：

C09K 11/08 , C09K 11/62

FI (3件)：

C09K 11/08 G , C09K 11/08 A , C09K 11/62

引用特許：

審査官引用 (7件)

蛍光体
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-100215 出願人：双葉電子工業株式会社
蛍光体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-043032 出願人：双葉電子工業株式会社
蛍光体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-051494 出願人：双葉電子工業株式会社

全件表示

前のページに戻る