特許
J-GLOBAL ID：200903046434239155

半導体素子

発明者：
田中 素之

田中 素之 について

, 
曽我部 浩一

曽我部 浩一 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-119515
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074980
出願日： 1997年05月09日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 III-V族窒化物と格子定数及び熱膨張係数が整合した基板を用い、その基板上に結晶性の良好なIII-V族窒化物単結晶膜を成長させた発光素子やダイオード等の半導体素子を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの混晶から選ばれた少なくとも1種のIII-V族窒化物単結晶膜12、14、15が、窒化アルミニウム単結晶基板11上に直接形成されるか、又は少なくとも1種のIII-V族窒化物の低温成長バッファー層13を介して形成されている半導体素子であり、連続発振が可能な短波長の発光素子や高温で動作するダイオード等として有用である。
請求項（抜粋）：
窒化アルミニウム単結晶基板と、該基板上に直接形成された窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも1種のIII-V族窒化物の単結晶膜とを備えることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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