特許
J-GLOBAL ID：200903098934841013
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-229161
公開番号（公開出願番号）：特開平10-075008
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【目的】 レーザ素子の閾値電圧を低下させ、レーザ素子の発熱量を小さくして、室温での連続発振を目指す。【構成】 同一面側にそれぞれ平面が露出されたp型窒化物半導体層とn型窒化物半導体層とに、それぞれp電極とn電極とが形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記n電極はn型窒化物半導体層の平面のほぼ全面に形成されていることにより、n電極から活性層に至る電圧降下を少なくして、閾値電圧を低下させる。
請求項（抜粋）：
同一面側にそれぞれ平面が露出されたp型窒化物半導体層とn型窒化物半導体層とに、それぞれp電極とn電極とが形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記n電極はn型窒化物半導体層の平面のほぼ全面に形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
引用特許：
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