ラジカル制御による微細加工方法および装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-270089
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150489
出願日： 1996年08月26日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】微細加工性の大幅な向上を実現させる。【解決手段】真空容器901内に導入された反応性ガスである第1の物質のプラズマ918を形成するとともに、反応性ガス、固体材料および液体材料のいずれか1種またはそれらの組み合わせである第2の物質を前記プラズマの外部において分解させて密度および/または組成が制御されたラジカル916を発生させ、該発生したラジカルを前記プラズマ中に注入することにより、該プラズマ中に配置された被処理基体910を微細加工する。

請求項（抜粋）：

真空容器内に導入された反応性ガスである第1の物質のプラズマを形成するとともに、反応性ガス、固体材料および液体材料のいずれか1種またはそれらの組み合わせである第2の物質を前記プラズマの外部において分解させて密度および/または組成が制御されたラジカルを発生させ、該発生したラジカルを前記プラズマ中に注入することにより、該プラズマ中に配置された被処理基体を微細加工するようにしたことを特徴とするラジカル制御による微細加工方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , C30B 29/04

FI (4件)：

H01L 21/302 B , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , C30B 29/04 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

表面処理方法および表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-144862 出願人：株式会社東芝
特開平3-179733
ドライエツチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-292117 出願人：東京エレクトロン株式会社

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