強誘電体装置の製造方法及び強誘電体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-076907
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267519
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】強誘電体層の電気的特性の劣化の生じにくい強誘電体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、構成元素として第1の金属元素を含む強誘電体材料からなる強誘電体層を形成する。強誘電体層の上に、上側電極を形成する工程。強誘電体層及び上側電極に、水素雰囲気中で第1回目の熱処理を行い、強誘電体層中の第1の金属元素を上側電極中に拡散させる。第1回目の熱処理後、酸素雰囲気中で第2回目の熱処理を行う。上側電極のうち、前記第1の金属元素の拡散した領域が、拡散していない領域よりも水素を吸蔵しやすいか、もしくは水素を透過させにくい。

請求項（抜粋）：

基板上に、構成元素として第1の金属元素を含む強誘電体材料からなる強誘電体層を形成する工程と、前記強誘電体層の上に、上側電極を形成する工程と、前記強誘電体層及び上側電極に、水素雰囲気中で第1回目の熱処理を行い、該強誘電体層中の第1の金属元素を前記上側電極中に拡散させる工程と、前記第1回目の熱処理後、酸素雰囲気中で第2回目の熱処理を行う工程とを有し、前記上側電極のうち、前記第1の金属元素の拡散した領域が、拡散していない領域よりも水素を吸蔵しやすいか、もしくは水素を透過させにくい強誘電体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 651

Fターム (8件)：

5F083FR02 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-348806 出願人：株式会社日立製作所
強誘電体集積回路とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-306963 出願人：日本電気株式会社, シンメトリクスコーポレーション
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-208999 出願人：株式会社東芝

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