半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-263739
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100865
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】半導体素子と配線基板とを電気接続する際に、隣接端子間においてショート不良が発生しない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】配線基板の接続端子上に選択的に導電性粒子を載置することにより、バンプと接続端子との間の電気接続部における導電性粒子の存在密度を、電気接続部の周辺部における導電性粒子の存在密度よりも高くしてある。

請求項（抜粋）：

導電性粒子及び絶縁性樹脂を用いて、バンプ付きの半導体素子を配線基板の接続端子に対して電気接続した半導体装置において、配線基板の接続端子上に選択的に導電性粒子を載置することにより、バンプと接続端子との間の電気接続部における導電性粒子の存在密度を、電気接続部の周辺部における導電性粒子の存在密度よりも高くしてあることを特徴とする半導体装置。

Fターム (3件)：

4M105AA11 , 4M105BB07 , 4M105FF02

引用特許：

審査官引用 (4件)

フェイスダウン実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-040179 出願人：日本電気株式会社
半導体素子の実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-063828 出願人：住友電気工業株式会社
ワイヤボンダ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-037995 出願人：日立東京エレクトロニクス株式会社

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