多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-087068
公開番号（公開出願番号）：特開2004-292643
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】比誘電率が2.2以下であり、かつ実用的な力学的強度を有する多孔質膜を形成する。【解決手段】(A)下式(1)で表される加水分解性ケイ素化合物またはそれを少なくとも一部加水分解縮合した生成物等100重量部と、(B)下式(3)で表される加熱によりシラノール基を発生する環状オリゴマー等を含む架橋剤0.1〜20重量部とを含むシリカ質膜形成用組成物を提供する。R1aSiZ14-a ・・・(1)(但し、式(1)中Z1は加水分解性基を示し、またR1は置換または非置換の1価炭化水素基を示し、aは0〜3の整数を表す。){R31(H)SiO}d{R32(Z3)SiO}e ・・・(3)(但し、式(3)中R31及びR32は置換または非置換の1価炭化水素基を示し、またZ3は加熱によりシラノールを発生させる基を示し、d及びeは0以上10以下の整数でd+eは3以上である。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)下式(1)と(2)で表される加水分解性ケイ素化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の加水分解性ケイ素化合物またはそれらを少なくとも一部加水分解縮合した生成物100重量部と、 (B)下式(3)〜(8)で表される加熱によりシラノール基を発生する環状または多分岐状のオリゴマーからなる群から選ばれる少なくとも1種のオリゴマーを含む架橋剤0.1〜20重量部とを含むことを特徴とする多孔質膜形成用組成物。 R1aSiZ14-a ・・・(1) (但し、式(1)中Z1は加水分解性基を示し、Z1が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、またR1は置換または非置換の1価炭化水素基を示し、R1が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、aは0〜3の整数を表す。) R21b(Z21)3-bSi-Y-Si(R22)cZ223-c ・・・(2) (但し、式(2)中Z21及びZ22は加水分解性基を示し、Z21又はZ22が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、またR21及びR22は置換または非置換の1価炭化水素基を示し、R21又はR22が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、b及びcはそれぞれ独立に0〜2の整数を示す。またYは酸素原子、フェニレン基、または2価炭化水素基を示す。) {R31(H)SiO}d{R32(Z3)SiO}e ・・・(3) (但し、式(3)中R31及びR32は置換または非置換の1価炭化水素基を示し、R31又はR32が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、またZ3は加熱によりシラノールを発生させる基を示し、Z3が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、d及びeは0以上10以下の整数でd+eは3以上である。) (R41SiO3/2)f{R42(H)SiO}g{R43(Z4)SiO}h ・・・(4) (但し、式(4)中R41、R42及びR43は置換または非置換の1価炭化水素基を示し、R41、R42又はR43が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、またZ4は加熱によりシラノールを発生させる基を示し、Z4が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、f、g及びhは0以上10以下の整数でf+g+hは4以上である。また、fは偶数である。) (HSiO3/2)i(Z5SiO3/2)j ・・・(5) (但し、式(5)中Z5は加熱によりシラノールを発生させる基を示し、Z5が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、i及びjは0以上10以下の整数でi+jは4以上である。また、i+jは偶数である。) {H(CH3)2SiO1/2}k{Z61(CH3)2SiO1/2}m(R61SiO3/2)n{R62(Z62)SiO}p ・・・(6) (但し、式(6)中R61及びR62は置換または非置換の1価炭化水素基を示し、R61又はR62が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、またZ61及びZ62は加熱によりシラノールを発生させる基を示し、Z61又はZ62が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、k、m、n及びpは0以上20以下の整数でk+m+n+pは5以上である。また、k+m+nは偶数である。) {H(CH3)2SiO1/2}q{Z71(CH3)2SiO1/2}r(SiO2)s(Z72SiO3/2)t ・・・(7) (但し、式(7)中Z71及びZ72は加熱によりシラノールを発生させる基を示し、Z71又はZ72が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、q、r、s及びtは0以上20以下の整数でq+r+s+tは4以上である。また、q+r+tは偶数である。) (Z813SiO1/2)u(R812SiO)v(R82SiO3/2)w{R83(Z82)SiO}x(SiO2)y(Z83SiO3/2)z ・・・(8) (但し、式(8)中R81、R82及びR83は置換または非置換の1価炭化水素基を示し、R81、R82又はR83が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、またZ81、Z82及びZ83は加熱によりシラノールを発生させる基を示し、Z81、Z82又はZ83が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、u、v、w、x、y及びzは0以上20以下の整数でu+v+w+x+y+zは3以上である。また、u+w+zは偶数である。)

IPC (8件)：

C09D183/14 , C08K5/5415 , C08L83/04 , C09D5/25 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/06 , H01L21/312

FI (8件)：

C09D183/14 , C08K5/5415 , C08L83/04 , C09D5/25 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/06 , H01L21/312 C

Fターム (46件)：

4J002CP031 , 4J002CP052 , 4J002EX036 , 4J002GQ01 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038DL051 , 4J038DL061 , 4J038DL081 , 4J038JA01 , 4J038JA02 , 4J038JA03 , 4J038JA26 , 4J038JA33 , 4J038JA56 , 4J038JA61 , 4J038JA62 , 4J038JB13 , 4J038JB14 , 4J038JC01 , 4J038JC02 , 4J038JC11 , 4J038KA06 , 4J038MA04 , 4J038MA07 , 4J038NA01 , 4J038NA07 , 4J038NA11 , 4J038NA17 , 4J038NA20 , 4J038NA21 , 4J038PB09 , 4J038PB11 , 4J038PC02 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AC04 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BC05 , 5F058BD07 , 5F058BF46 , 5F058BH02 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (5件)

膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-118951 出願人：ジェイエスアール株式会社
多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-329127 出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社
シロキサン系樹脂およびこれを用いた半導体層間絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-089759 出願人：三星電子株式会社

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