半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236839
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083064
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】可飽和光吸収層を有する良結晶性の半導体レーザ素子を提供することが目的である。【解決手段】活性層5と、これを挟むように設けられたクラッド層3、7、11と、を備える半導体レーザ素子であって、少なくとも一方の上記クラッド層7、11の間に歪みを有する可飽和光吸収層9と、可飽和光吸収層9に隣接して上記歪みと逆の歪みを有する補助層8、10を備える。

請求項（抜粋）：

活性層と、これを挟むように設けられたクラッド層と、を備える半導体レーザ素子であって、少なくとも一方の上記クラッド層内、又は該クラッド層と上記活性層の間に歪みを有する可飽和光吸収層と、該可飽和光吸収層に隣接して上記歪みとは逆の歪みを有する補助層を有することを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-041492 出願人：三洋電機株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-158841 出願人：住友電気工業株式会社
特開平3-257887

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