特許

J-GLOBAL ID：200903034491584685

SOI基板の製造方法

発明者： 李 炳勳 ,  姜 致中 ,  李 慶旭 ,  車 基豪
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311823
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306891
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【課題】 SOI基板の製造方法を提供する。【解決手段】 第1酸化層102を介して相互結合された支持基板100および半導体基板104の表面に第2酸化層106を形成し、第2酸化層106の表面に半導体基板104と同一なタイプのストレスを有する半導体物質層108を形成する。次いで、半導体物質層108、第2酸化層106、および半導体基板104の上部を連続的に全面食刻して、変形された半導体物質層108a、変形された第2酸化層106aおよび半導体基板104の一部分よりなる半導体層104aを形成する。半導体層104aおよび第1酸化層102の厚さと前記半導体物質層108の厚さとを適切に調節して、半導体層104aによる前面のストレスSF と変形された半導体物質層108aによる背面のストレスSB とを相殺する。これによりSOI基板の撓みを防止できるので、半導体層104aを均一な厚さに形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

支持基板または半導体基板の一側面に形成された第1酸化層を媒介物として支持基板と半導体基板とを相互結合させる段階と、前記結合された支持基板と半導体基板の露出された表面に第2酸化層を形成する段階と、前記第2酸化層の表面に前記半導体基板と同一なタイプのストレスを有する第1厚さの半導体物質層を形成する段階と、前記半導体基板の表面に形成された第2酸化層および第1厚さの半導体物質層と前記半導体他基板の上部を連続的に研磨した後、研磨された表面をポリシングして変形された第2酸化層、変形された第1厚さの半導体物質層および前記半導体基板の一部分よりなった半導体層を形成する段階とを具備することを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 M

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-307418   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-065126
  
• 誘電体分離基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-340865   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 特開平1-302740
  
• 特開平4-163907
  
• 接合ウェーハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-107253   出願人：ローム株式会社