特許
J-GLOBAL ID:200903034501351323

リッジ導波路型分布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梅田 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-223363
公開番号(公開出願番号):特開平9-069664
出願日: 1995年08月31日
公開日(公表日): 1997年03月11日
要約:
【要約】【課題】 凹凸形状の回折格子を有するリッジ導波路型分布帰還半導体レーザ装置において、ストライプ状リッジ構造のリッジ幅及びリッジ外のエッチング残し厚を同時に精度よく制御することにより、素子の再現性が優れ、作製歩留まりの優れた半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 回折格子の凹凸形状が緩和された表面を有するエッチングストップ層を形成し、選択エッチングを行ってストライプ状リッジ構造を形成する。これにより、リッジ形状のリッジ幅及びリッジ外のエッチング残し厚の制御性が向上し、リッジ形状の高精度な制御が可能となり、素子の再現性が良く、作製歩留まりが高い半導体レーザ装置及びその製造方法を得られる。
請求項(抜粋):
回折格子と、該回折格子上に形成され、回折格子の凹凸形状を徐々に軽減し表面で凹凸が緩和されている半導体層と、該半導体層上にストライプ状リッジ構造と、を有することを特徴とするリッジ導波路型分布帰還半導体レーザ装置。
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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