特許
J-GLOBAL ID：200903034524636570

シリコンウェハの窒化処理方法

発明者：
北畠 裕也

北畠 裕也 について


出願人/特許権者：
積水化学工業株式会社

積水化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-126249
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324795
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウェハ表面への窒化珪素膜の形成において、膜中の電子またはホールトラップのない窒化珪素膜を形成する方法及びその装置の提供。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に窒素含有ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマをシリコンウェハに接触させ、シリコンウェハ表面に窒化珪素膜を形成するシリコンウェハの窒化処理方法及びその装置。
請求項（抜粋）：
大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に窒素含有ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマをシリコンウェハに接触させ、シリコンウェハ表面に窒化珪素膜を形成するシリコンウェハの窒化処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31
FI (2件)：
H01L 21/318 A ,  H01L 21/31 A
Fターム (15件)：
5F045AA20 ,  5F045AB33 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AE29 ,  5F045EF01 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH19 ,  5F045EM10 ,  5F058BC08 ,  5F058BF54 ,  5F058BF74
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM