半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-320092
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150792
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【解決手段】少なくとも最上層に炭化珪素を有する半導体基板上に、絶縁体を介して金属層を設けた半導体装置において、絶縁体を最下層に窒化アルミニウム、その上に酸化膜及び/或は窒化膜の1層又は2層以上を積層して構成すると共に、半導体基板上に絶縁体を形成後、或は絶縁体上に金属層を形成後に水素アニール処理乃至水素プラズマ照射処理を行う。【効果】高絶縁破壊電圧で、しかも低界面準位密度の良好な電気特性を有する、半導体装置及び半導体装置が搭載された半導体集積回路を作製することができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも最上層に炭化珪素を有する半導体基板上に、絶縁体を介して金属層を設けた半導体装置において、絶縁体を最下層に窒化アルミニウム、その上に酸化膜及び/或は窒化膜の1層又は2層以上を積層して構成したことを特徴とする半導体装置。【請求項2】金属層を、アルミニウムを含有する合金或は不純物を含有するポリシリコン或はシリコンで構成する請求項1記載の半導体装置。【請求項3】少なくとも最上層に炭化珪素を有する半導体基板上に、最下層に窒化アルミニウム、その上に酸化膜及び/或は窒化膜の1層又は2層以上を積層してなる絶縁体を形成し、その上に金属層を形成する半導体装置の製造方法において、絶縁体を形成した後、或は金属層を形成した後に水素アニールを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。【請求項4】少なくとも最上層に炭化珪素を有する半導体基板上に、最下層に窒化アルミニウム、その上に酸化膜及び/或は窒化膜の1層又は2層以上を積層してなる絶縁体を形成し、その上に金属層を形成する半導体装置の製造方法において、絶縁体を形成した後、或は金属層を形成した後に水素プラズマ照射処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/318 , H01L 21/324 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 27/04 C , H01L 21/318 B , H01L 21/324 Z , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 B

Fターム (32件)：

5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC14 , 5F038EZ02 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ16 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F040DA19 , 5F040DB01 , 5F040DB09 , 5F040DC02 , 5F040EC04 , 5F040ED07 , 5F040EJ03 , 5F040FC00 , 5F040FC05 , 5F040FC11 , 5F040FC15 , 5F058BA01 , 5F058BA11 , 5F058BB10 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD12 , 5F058BF20 , 5F058BF53 , 5F058BF62 , 5F058BH01 , 5F058BH05 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-115575
炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-179355 出願人：ローム株式会社
特開昭60-142568

前のページに戻る