特許
J-GLOBAL ID：200903034555180885
含酸素シクロヘキセン誘導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須藤 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-322470
公開番号（公開出願番号）：特開2005-089341
出願日： 2003年09月16日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 過酸化水素、過酢酸、t-ブチルハイドロパーオキサイド等の過酸化物を用いることなく、固体酸化触媒ならびに分子状酸素含有ガスのみを用い、シクロヘキセンから含酸素シクロヘキセン誘導体を製造する方法を提供する。【解決手段】 シクロヘキセンを分子状酸素含有ガスを用いて酸化し、含酸素シクロヘキセン誘導体である2-シクロヘキセン-1-オン及び/又は2-シクロヘキセン-1-オールを製造するに当たり、遷移金属を用いて骨格置換を行った遷移金属骨格置換型ゼオライト触媒を用いて、無溶媒条件下で反応を行うことを特徴とする含酸素シクロヘキセン誘導体の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
シクロヘキセンを分子状酸素含有ガスを用いて酸化し、含酸素シクロシクロヘキセン誘導体である2-シクロヘキセン-1-オン及び/又は2-シクロヘキセン-1-オールを製造するに当たり、遷移金属を用いて骨格置換を行った遷移金属骨格置換型ゼオライト触媒を用いることを特徴とする含酸素シクロヘキセン誘導体の製造方法。
IPC (6件)：
C07C27/12
, B01J29/072
, B01J29/076
, C07C35/18
, C07C45/34
, C07C49/603
C07C27/12 330
, B01J29/072 Z
, B01J29/076 Z
, C07C35/18
, C07C45/34
, C07C49/603
4G069AA08
, 4G069BA07A
, 4G069BA07B
, 4G069BC02A
, 4G069BC54B
, 4G069BC55B
, 4G069BC62A
, 4G069BC62B
, 4G069BC66B
, 4G069BC67A
, 4G069BC67B
, 4G069CB07
, 4G069CB11
, 4G069CB22
, 4G069CB70
, 4G069CB72
, 4G069DA05
, 4G069FA08
, 4G069FC07
, 4G069ZA33A
, 4G069ZA33B
, 4G069ZB09
, 4G069ZD01
, 4G169AA08
, 4G169BA07A
, 4G169BA07B
, 4G169BC02A
, 4H006AA02
, 4H006AC41
, 4H006AC44
, 4H006BA12
, 4H006BA16
, 4H006BA19
, 4H006BA20
, 4H006BA71
, 4H006BC10
, 4H006BC14
, 4H006DA15
, 4H006DA35
, 4H006FC22
, 4H006FE12
, 4H039CA60
, 4H039CA62
, 4H039CC30
