特許
J-GLOBAL ID：200903034571743334

ICチップのバンプ形成方法

発明者：
誉田 敏幸

誉田 敏幸 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-303429
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162491
出願日： 1994年12月07日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ICチップをTABテープや実装基板等の外部電極とを接続する為の接続部分に係わり、特にICチップ上に設けられるバンプの形成方法に関し、高い信頼性のあるボンディングを方法を得ることを目的とする。【構成】 TABテープ或いは基板上にICチップを接合するバンプの形成方法であって、ICチップのパッド上に選択的にめっきバンプを形成し、続いて、めっきバンプ上にボンディングワイヤのボールからなるボンディングバンプを形成する。
請求項（抜粋）：
TABテープ或いは基板上にICチップを接合するバンプの形成方法であって、該ICチップのパッド上に選択的にめっきバンプを形成し、続いて該めっきバンプ上にボンディングワイヤのボールからなるボンディングバンプを形成することを特徴とするICチップのバンプ形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301 ,  H01L 21/321
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
  • 半導体集積回路装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-116266   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-155029   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

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