特許
J-GLOBAL ID：200903034608960616
ミリ波発振器
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-180229
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019570
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】ミリ波共振器基板上にガンダイオード素子を搭載したミリ波発振器においては、ガンダイオードを構成する半導体基板の放熱性が悪く、動作中にガンダイオード活性層の温度が上昇してしまうため、ミリ波出力が著しく低下してしまう。【解決手段】誘電体基板2の上面に金属層から成る共振器(信号電極3および接地電極4)が形成された共振器基板上に、薄膜半導体の第1のn+型層,n型層および第2のn+型層を順次積層して成るガンダイオード素子1を搭載して成り、ガンダイオード素子1の直下の誘電体基板2に、垂直方向へ貫通するように、誘電体基板2よりも高い熱伝導率の高抵抗領域8を形成したミリ波発振器である。高抵抗領域8により駆動時におけるガンダイオード素子1の昇温が抑えられ、安定な動作が可能となり、ミリ波出力強度を安定化することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
誘電体基板の上面に金属層から成る共振器が形成され、該共振器の直下から下面にかけて前記誘電体基板よりも熱伝導率が高い高抵抗領域が形成された共振器基板の前記共振器の前記高抵抗領域上に位置する部位上に、薄膜半導体の第1のn+型層,n型層および第2のn+型層を順次積層して成るガンダイオード素子を搭載して成ることを特徴とするミリ波発振器。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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