半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-085106
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288547
出願日： 1995年04月11日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】大電流領域で高出力を得ることが可能な赤外LEDの新規な構造を提供する。【構成】ダブルヘテロ(DH)構造を有した赤外LEDにおいて、DH構造(3,4,5)に隣接して、異なる半導体層(10a,10b)のヘテロ2重層を所定の数だけ積層し反射層10を構成し、この反射層を構成する各ヘテロ2重層の不純物密度を所定の値にすることにより、大電流領域においても発熱の効果が抑制され、反射層10が有効に機能するようにする。

請求項（抜粋）：

第1の禁制帯幅を有する第1の半導体層と、第1の禁制帯幅とは異なる第2の禁制帯幅を有する第2の半導体層からなるヘテロ2重層を所定の数だけ積層した反射層を有する半導体発光素子であって、該第1および第2の半導体層の不純物密度が互いに異なることを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

面発光型半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-076602 出願人：株式会社日立製作所
面発光型半導体発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-237061 出願人：株式会社東芝
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-149017 出願人：株式会社東芝

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