特許
J-GLOBAL ID:200903034634587079
多層デバイスを形成するための熱転写素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-593483
公開番号(公開出願番号):特表2002-534782
出願日: 1999年05月24日
公開日(公表日): 2002年10月15日
要約:
【要約】多層デバイスを形成する熱転写素子は、基板と、受容体に転写される場合に、多層デバイスの第1動作層と第2動作層とを形成するように構成され配置される多成分転写ユニットと、を含んでよい。少なくともいくつかの例では、熱転写素子は、多成分転写ユニットを転写するために光エネルギを熱エネルギに変換することができる光-熱変換(LTHC)層も含む。受容体に多成分転写ユニットを転写することは、基板と転写層とを有する熱転写素子に受容体を接触させることを含む。そして、熱転写素子が選択的に加熱されることにより、デバイスの少なくとも第1および第2動作層を形成するようにパターンに従って多成分転写ユニットが受容体に転写される。しばしば、熱転写素子が基板と転写層との間にLTHC層を含む場合、熱転写素子をパターンに従って光によって照明することができ、光エネルギが熱エネルギに変換されることによって熱転写素子が選択的に加熱される。
請求項(抜粋):
熱転写素子であって、 基板と、 受容体に転写される場合に、多層デバイスの第1動作層と第2動作層とを形成するように構成され配置されており、該第1動作層が荷電担体を伝導するかまたは生成するように構成され配置される多成分転写ユニットと、を具備する熱転写素子。
IPC (6件):
H05B 33/10
, G02B 6/13
, H01L 21/336
, H01L 29/786
, H05B 33/12
, H05B 33/14
FI (5件):
H05B 33/10
, H05B 33/12 B
, H05B 33/14 A
, G02B 6/12 M
, H01L 29/78 627 C
Fターム (40件):
2H047KA04
, 2H047PA01
, 2H047PA22
, 2H047PA28
, 2H047QA04
, 2H047QA05
, 2H047TA43
, 3K007AB04
, 3K007AB18
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 5F110AA16
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE41
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF21
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG05
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110GG41
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK31
, 5F110QQ06
, 5F110QQ30
引用特許:
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