特許
J-GLOBAL ID：200903034658922677
記憶素子および記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
, 長谷部 政男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-204031
公開番号（公開出願番号）：特開2009-043757
出願日： 2007年08月06日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：
【課題】抵抗変化型の記憶装置において、記憶および消去状態の抵抗値の保持能力を向上させる。【解決手段】下部電極1と上部電極4との間に、高抵抗層2およびイオン化層3からなる記憶層5を有する。イオン化層3は、S(硫黄),Se(セレン)およびTe(テルル)(カルコゲナイド元素)などのイオン伝導材料およびZr(ジルコニウム)などのイオン化する金属元素と共に、添加元素としてAl(アルミニウム)を含有している。イオン化層3にAlが含まれているので、消去動作時にはアノード極上でAlを含んだ高抵抗層(Al酸化物)が形成され、高抵抗状態の保持性能が向上すると共に動作速度が改善される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極と第2電極との間にイオン化層を含む記憶層を有し、前記記憶層の電気的特性の変化により情報を記憶する記憶素子であって、
前記イオン化層は、イオン伝導材料およびイオン化する金属元素と共に、Al(アルミニウム)を含有している
ことを特徴とする記憶素子。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR22
, 5F083ZA21
