特許
J-GLOBAL ID：200903080106547474

メモリセル、メモリセルを備えたメモリ、およびメモリセル内にデータを書き込む方法

発明者：
ラルフ,ズュマンクズィク

ラルフ,ズュマンクズィク について


出願人/特許権者：
キモンダ アクチエンゲゼルシャフト

キモンダ アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-063351
公開番号（公開出願番号）：特開2007-280591
出願日： 2007年03月13日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】 PMCメモリセルおよびその状態安定性のための書き込み方法を提供する。【解決手段】メモリセルは、プログラマブル固体電解質層と、フローティングゲートを有したトランジスタとを有しており、当該トランジスタのゲートは、ワード線に接続されており、上記トランジスタの第1の端子は、上記固体電解質層に接続されており、上記トランジスタの第2の端子は、ビット線に接続されており、上記ビット線は、入力/出力ドライバに接続されており、上記フローティングゲートは、上記フローティングゲートの電位を、書き込み動作中に、上記ワード線上の電圧より高く上昇させることによって、上記固体電解質層に流れる電流を所定量の電荷に制限する制限素子である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
メモリセルであって、 プログラマブル固体電解質層と、 書き込み線と、 上記固体電解質層と上記書き込み線との間に配置された制御可能なスイッチとを備えており、 上記制御可能なスイッチは、選択線に接続された制御入力部を有しており、 上記スイッチは、書き込み動作中に上記固体電解質層に流れる電流を所定量の電荷に制限する制限素子を含んでいる、 メモリセル。
IPC (8件)：
G11C 13/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件)：
G11C13/00 A ,  H01L49/00 Z ,  H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
Fターム (12件)：
5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083ER02 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F101BA01 ,  5F101BB05 ,  5F101BC11 ,  5F101BD02 ,  5F101BG10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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