特許
J-GLOBAL ID：200903034666479618

半導体記憶装置

発明者：
江渡 聡

江渡 聡 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-267277
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112181
出願日： 1996年10月08日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、半導体記憶装置に於てワード選択線を駆動するワードドライバのバンド間トンネル電流を削減することによって、待機時等の消費電流を削減することを目的とする。【解決手段】 半導体記憶装置は、メモリセルに対してワード線を選択活性化するワードドライバと、該ワードドライバのトランジスタのゲート電圧を制御することによって該トランジスタのバンド間トンネル電流を抑制する制御部を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
メモリセルに対してワード線を選択活性化するワードドライバと、該ワードドライバのトランジスタのゲート電圧を制御することによって該トランジスタのバンド間トンネル電流を抑制する制御部を含むことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 11/407 ,  G11C 7/00 311 ,  G11C 11/413
FI (3件)：
G11C 11/34 354 D ,  G11C 7/00 311 Z ,  G11C 11/34 301 A
引用特許：
審査官引用 (8件)
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