特許

J-GLOBAL ID：200903034673347239

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 井出 真司 ,  佐々木 勝
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-271732
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086449
出願日： 2004年09月17日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：

【課題】 キュアリングを目的としてプラズマ処理を行なう際に、プラズマ中のイオン成分によるLow-k膜への悪影響を防止もしくは抑制することが可能なプラズマ処置装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置100において、サセプタ2の上方には、上側のプレート60および下側のプレート61が配備されている。上側のプレート60および下側のプレート61は、石英等の耐熱性絶縁体で構成され、所定間隔、例えば5mmの間隔を以て互いに離間して平行に配置されており、複数の貫通孔60aまたは61aを有している。二枚のプレートを重ねた状態で、下側のプレート61の貫通孔61aと上側のプレート60の貫通孔60aが重ならないように、位置をずらして形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理基板に対してプラズマ処理を行なうための処理室を区画する処理容器と、 前記処理容器内で前記被処理基板を載置する基板保持台と、 を備え、 前記処理容器内の上部から前記基板保持台に載置された被処理基板に対してプラズマが供給されるように構成されたプラズマ処理装置であって、 前記基板保持台の上部に、プラズマ中のイオンを遮断し、水素ラジカルを選択的に通過させる選択通過手段を設けたことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/312

FI (2件)：

H01L21/31 A ,  H01L21/312 C

Fターム (7件)：

5F045AB39 ,  5F045EE20 ,  5F045EF05 ,  5F045EF14 ,  5F045EH02 ,  5F058AC03 ,  5F058AG07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-262187   出願人：株式会社ルネサステクノロジ

審査官引用 (3件)

• リモートプラズマCVD装置及び膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-196619   出願人：日本電気株式会社, アネルバ株式会社
• プラズマ処理装置及び処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-297064   出願人：キヤノン株式会社
• 誘導性プラズマリアクター
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-516207   出願人：マットソンテクノロジーインコーポレーテッド