半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：廣田浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-144905
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338621
出願日： 2002年05月20日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：

【要約】【課題】微細な構造を有し、室温での安定動作に優れ、光リソグラフィやCVD等を利用して安価にかつ量産可能で、単一電子トランジスタに特に好適な半導体装置等の提供。【解決手段】本発明の半導体装置は、導電性粒子を少なくとも1個含む炭素系線状構造体又は格子欠陥を少なくとも2個含む炭素系線状構造体と、該炭素系線状構造体に含まれる前記導電性粒子を少なくとも1個挟むように配置した第1の電極及び第2の電極とを有する。本発明の半導体装置の製造方法では、半導体基板上に2以上形成した触媒によるアイランドのうちの第1のアイランドと第2のアイランドとを接続するように、該触媒による粒子を含む炭素系線状構造体又は格子欠陥を少なくとも2個含む炭素系線状構造体を形成し、前記第1のアイランド及び前記炭素系線状構造体に接するように第1の電極と、前記第2のアイランド及び前記炭素系線状構造体に接するように第2の電極とを形成する。

請求項（抜粋）：

導電性粒子を少なくとも1個含む炭素系線状構造体と、該炭素系線状構造体に含まれる前記導電性粒子を少なくとも1個挟むように配置した第1の電極及び第2の電極とを有してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/66 , H01L 29/06 601 , H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 29/66 S , H01L 29/06 601 N , H01L 29/78 618 B

Fターム (18件)：

5F110AA16 , 5F110BB13 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE08 , 5F110EE43 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG11 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG60 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (8件)

カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-218578 出願人：エルジー電子株式会社
ハイブリッド単層カーボンナノチューブの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-286109 出願人：科学技術振興事業団, 名古屋大学長, 日本電気株式会社
カーボンナノチューブの成長方法並びにそれを用いた電子銃及びプローブの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-075981 出願人：株式会社ケイアンドティ

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