特許
J-GLOBAL ID：200903034730363076
強誘電体メモリ集積回路用の強誘電体キャパシタ素子の製造方法及び強誘電体キャパシタ
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-385106
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246564
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】 本発明は集積回路の強誘電体キャパシタ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、貴金属の導電性下部電極を成膜し、下部電極を強誘電体材料層で覆う。強誘電体層に1回目のアニールを行った後、貴金属酸化物の上部電極層を成膜する。次に、強誘電体層と上部電極層に2回目のアニールを行う。1回目と2回目のアニールでは急速加熱アニーリングを行う。
請求項（抜粋）：
導電性下部電極層を成膜する工程と、強誘電体材料の層を成膜する工程と、強誘電体材料の層をアニーリングする1回目のアニール工程と、導電性上部電極層を成膜する工程と、急速加熱アニーリングによって強誘電体材料の層をアニーリングする2回目のアニール工程と、を有する、集積回路の強誘電体キャパシタ素子の製造方法。
Fターム (7件)：
5F083FR01
, 5F083GA27
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083JA42
, 5F083JA43
, 5F083PR34
