特許

J-GLOBAL ID：200903034745974187

マスク、マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置

発明者： 跡部 光朗 ,  紙透 真一 ,  黒沢 龍一 ,  四谷 真一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-005909
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305079
出願日： 2002年01月15日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】有機EL素子の画素をなす薄膜パターンを、高精細画素に対応できる精度で成膜することができるマスクを提供する。【解決手段】面方位が(100)であるシリコンウエハ(単結晶シリコン基板)1を用い、結晶方位依存性を利用した異方性ウエットエッチングを行うことにより、壁面11aの面方位が(111)である貫通穴11を、形成する薄膜パターンに対応させた開口部として形成する。

請求項（抜粋）：

有機エレクトロルミネッセンス素子の構成層をなす薄膜パターンを真空蒸着法で形成するために使用され、前記薄膜パターンに対応させた開口部を有するマスクにおいて、単結晶シリコンからなり、結晶方位依存性を利用した異方性ウエットエッチングで形成された貫通穴を、前記開口部として有するマスク。

IPC (4件)：

H05B 33/10 ,  C23C 14/04 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14

FI (4件)：

H05B 33/10 ,  C23C 14/04 A ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A

Fターム (11件)：

3K007AB04 ,  3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB07 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4K029BD00 ,  4K029HA01 ,  4K029HA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-236758
  
• 蒸着用マスクおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-228835   出願人：三洋電機株式会社
• 蒸着用マスクおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-189135   出願人：三洋電機株式会社
• シャドウマスク及びその製造方法並びにシャドウマスクを用いた有機ELディスプレイの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-301844   出願人：日本電気株式会社