特許
J-GLOBAL ID：200903034806447614

アレイ型半導体レーザ装置の組み立て方法

発明者：
中塚 慎一

中塚 慎一 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-185988
公開番号（公開出願番号）：特開2009-026819
出願日： 2007年07月17日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：
【課題】アレイ型半導体レーザを接合面下向きで組立てる場合に問題になる素子間の短絡と組立位置ずれによる特性のばらつきを防止する組立方法を提供する。【解決手段】レーザチップ121の窓構造領域に有機物などで形成されたサブマウント124との位置合わせに用いる整合構造120を設ける。またサブマウントには半田層123のパタンを上記整合構造と一致する配列ピッチで設けることにより、特性の劣化を伴わずに狭ピッチのアレイレーザを精度よく組立てる。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
サブマウントにアレイ型半導体レーザチップを接着してアレイ型半導体レーザ装置を組み立てる方法において、 半導体結晶基板上に形成された第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層の上に形成された活性層と、前記活性層に複数のストライプ状導波路が所定間隔で平行に形成されるように当該活性層の上に形成された第2のクラッド層と、前記複数のストライプ状導波路に対応する前記活性層の領域にそれぞれ通電するために前記第2のクラッド層の上に形成された複数の電極層と、前記複数のストライプ状導波路の電極層の上に絶縁層を介して形成された金属層とを有し、前記活性層は利得発生領域と窓領域とを有し、前記窓領域には複数の樹脂製の突起が所定のピッチで配置されると共に前記ストライプ状導波路の電極層とそれぞれ電気的に接続された複数の接合構造が配置された半導体レーザチップと、 前記アレイ型半導体レーザチップの利得発生領域からの熱が伝達される第1の半田層と、前記所定ピッチで配置された複数の第2の半田層と、前記複数の第2の半田層のうち少なくとも一部の半田層に接続された電極パタンとを有するサブマントとを用意し、 前記サブマウントの前記複数の第2の半田層に対して前記アレイ型半導体レーザチップの前記複数の突起を嵌め合わせることによりサブマウントとレーザチップを位置合わせし、 前記サブマウントの前記第1の半田層に前記アレイ型半導体レーザチップの前記金属層を接触させると共に、前記サブマウントの前記電極パタンが接続された第2の半田層に前記アレイ型半導体レーザチップの前記複数の接合構造をそれぞれ接触させ、 前記サブマウントと前記アレイ型半導体レーザチップを前記半田層の溶融温度以上に加熱することを特徴とするアレイ型半導体レーザ装置の組立方法。
IPC (3件)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/022
FI (3件)：
H01S5/22 610 ,  H01S5/343 ,  H01S5/022
Fターム (18件)：
5F173AA08 ,  5F173AB73 ,  5F173AB76 ,  5F173AD05 ,  5F173AF04 ,  5F173AH08 ,  5F173AK08 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP43 ,  5F173AP52 ,  5F173AP73 ,  5F173AR93 ,  5F173MC24 ,  5F173MD13 ,  5F173MD63 ,  5F173MD75 ,  5F173MD84
引用特許：
出願人引用 (3件)

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