特許
J-GLOBAL ID:200903046418455700

アレイ型半導体レーザ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 小川 勝男 ,  田中 恭助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-200076
公開番号(公開出願番号):特開2006-024665
出願日: 2004年07月07日
公開日(公表日): 2006年01月26日
要約:
【課題】 レーザチップの放熱性の問題からフェースダウン組立が望まれるが、ストライプ間隔が狭い場合、電極幅が狭くなりフェースダウン組立を行うことは困難になる。【解決手段】 アレイ型半導体レーザにおいてレーザチップの第1電極を絶縁物で覆い、通電孔を空けた上で共振器と交差する方向に電極及び半田パタンを設けたサブマウントにフェースダウンで組み立てる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
通電により発光する光共振器が複数形成された半導体チップをサブマウント上に搭載したアレイ型半導体レーザ装置であって、 前記半導体チップは、半導体基板上に所定の間隔をもってストライプ状に形成された複数の光共振器と、 前記ストライプの方向に、前記光共振器を覆うように形成され、互いに電気的に分離された第1の電極と、 前記第1の電極を覆うように形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜を介して前記光共振器を覆うように形成され、隣接する光共振器と電気的に分離されるように所定の形状にパターニングされた第2の電極とを具備し、 通電をすべく光共振器上の前記絶縁膜の一部を選択的に除去し開口部を設けることにより前記第1の電極と前記第2の電極が電気的に接続された通電孔を形成し、該通電孔の少なくとも一部が前記サブマウント上に形成された複数のサブマウント電極の一に電気的に接続されるように該通電孔を配置することを特徴とするアレイ型半導体レーザ装置。
IPC (1件):
H01S 5/40
FI (1件):
H01S5/40
Fターム (9件):
5F173MA06 ,  5F173MC12 ,  5F173MC25 ,  5F173MD04 ,  5F173MD07 ,  5F173MD16 ,  5F173MD24 ,  5F173MD63 ,  5F173MD84
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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