特許
J-GLOBAL ID：200903034946081130

固体撮像素子

発明者：
河合 真一

河合 真一 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-170965
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352052
出願日： 2000年06月07日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 飽和領域では入射光量の変化に対し蓄積電荷量の変化が小さいので、雑音による出力信号の変動に対し、蓄積電荷の変化量が小さいと、SN比の悪い再生画像となる。【解決手段】 光電変換部502のうち半導体基板500側の一部に他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度領域101を形成する。これによって、P- 型ウェル501と光電変換部502の結合容量C51を大きくし、蓄積電荷の変化量を大きくする。
請求項（抜粋）：
光電変換部に発生した過剰電荷を掃き出すオーバーフロードレインを備えた固体撮像素子において、前記光電変換部のうち前記オーバーフロードレイン側の一部に他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度領域を形成したことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (4件)：
H01L 27/148 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (4件)：
H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A
Fターム (30件)：
4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA12 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA02 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA14 ,  4M118FA19 ,  4M118FA33 ,  4M118GB03 ,  4M118GB11 ,  5C024CX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GX18 ,  5C024GY03 ,  5C024GY04 ,  5C024GY05 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ03 ,  5F049MA15 ,  5F049MB03 ,  5F049NA04 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049SZ10 ,  5F049UA20
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 固体撮像素子及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-102412   出願人：ソニー株式会社
  • 固体撮像素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-090175   出願人：ソニー株式会社
  • 固体撮像素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-290004   出願人：三洋電機株式会社
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