特許
J-GLOBAL ID：200903035018939103
スピンバルブ型薄膜素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-286893
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121832
出願日： 1997年10月20日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 スピンバルブ型薄膜素子では、ABS面以外の面が絶縁膜に覆われているので、ハイト方向に引っ張り応力が作用しており、このような状態で、固定磁性層の磁歪が負の値であると、磁気弾性効果により、前記固定磁性層の磁化がトラック幅方向に誘起されてしまい、バルクハウゼンノイズの発生率が高くなるなど再生特性が低下するといった問題があった。【解決手段】 固定磁性層2がCoFe合金、またはCoFeNi合金により形成され、組成比を適性に調節することにより、固定磁性層2の磁歪が正の値にされているので、磁気弾性効果により、固定磁性層をハイト方向に誘起させることができる。また同時に、結晶構造の少なくとも一部にfcc構造を含有させ、大きな交換異方性磁界を得ることができるので、固定磁性層の磁化をハイト方向に強固に固定することができ、再生特性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層とを有し、さらに前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ揃えるバイアス層と、固定磁性層と非磁性導電層とフリー磁性層に検出電流を与える導電層とが設けられて成るスピンバルブ型薄膜素子において、前記固定磁性層は、CoFe合金で形成されており、また前記固定磁性層の磁歪定数は正の値であり、しかも結晶構造の少なくとも一部にfcc構造を有することを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/16
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/16
