バイポーラ型半導体装置とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-311332
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146679
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】従来の耐圧とオン電圧の特性の限界を超えた特性を有するバイポーラ型半導体装置を実現する。【解決手段】本発明を具現化したIGBTは、半導体領域の裏面側に形成されたコレクタ電極2と、コレクタ電極2に接するp+型コレクタ領域4と、n-型ドリフト領域10と、p+型コレクタ領域4とn-型ドリフト領域10の間に位置するとともに、p+型コレクタ領域4にn+型バッファ領域6を介して隣合うp型領域8と、半導体領域の表面側に形成されたエミッタ電極16と、エミッタ電極16に接するn+型エミッタ領域18と、n-型ドリフト領域10とn+型エミッタ領域18の間に形成された領域(オン時にチャネルとなる領域)を含むp型ボディ領域12,14と、p-型ボディ領域12にゲート絶縁膜20を介して隣合うゲート電極22を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

厚さが10μm以下の第1導電型の第1領域と、第2導電型領域と、第1領域と第2導電型領域の間に位置するとともに、第1領域に第1導電型でない領域を介して隣合う第1導電型の第2領域を備えたバイポーラ型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/78 , H01L29/74 , H01L29/80 , H01L29/861

FI (10件)：

H01L29/78 655A , H01L29/78 652T , H01L29/78 653A , H01L29/78 655B , H01L29/78 655C , H01L29/78 655E , H01L29/74 D , H01L29/74 M , H01L29/91 D , H01L29/80 V

Fターム (12件)：

5F005AA03 , 5F005AB03 , 5F005AC02 , 5F005AC03 , 5F005AE01 , 5F005AF01 , 5F102FA00 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GD04 , 5F102GR06

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開平3-261179
特開平4-212464
電圧駆動型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-311532 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (11件)

サイリスタを有する半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-347741 出願人：株式会社豊田中央研究所
特開平3-261179
特公平6-048729

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