半導体装置の製造方法および半導体ウエハ加工装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：鈴木俊一郎 , 牧村浩次 , 高畑ちより , 鈴木亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-297617
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072140
出願日： 2003年08月21日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】裏面研削終了後直ちに研削面にダイシングテープを貼着するインライン化工程を含む半導体装置の製造方法において、ウエハ裏面での酸化膜の形成不足に起因するピックアップ不良を解消すること。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、表面に回路が形成されたシリコンウエハの裏面を研削する工程、シリコンウエハ裏面を酸化処理し、酸化膜を形成する工程、シリコンウエハ裏面にダイシングテープを貼着し、該ウエハをダイシングしチップ化する工程、およびシリコンチップをピックアップする工程を含むことを特徴としている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

表面に回路が形成されたシリコンウエハの裏面を研削する工程、シリコンウエハ裏面を酸化処理し、酸化膜を形成する工程、シリコンウエハ裏面にダイシングテープを貼着し、該ウエハをダイシングしチップ化する工程、およびシリコンチップをピックアップする工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/301

FI (2件)：

H01L21/78 Q , H01L21/78 L

引用特許：

出願人引用 (1件)

ウェーハ平面加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-150637 出願人：株式会社東京精密

審査官引用 (7件)

特開昭64-038209
シリコン系基板の表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-106757 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-271422 出願人：富士通株式会社

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