特許
J-GLOBAL ID：200903043695847226
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-231469
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045835
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 低コストで環境負荷を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体素子に回路パターンが作成された半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、複数の半導体素子の回路パターンが作成された半導体ウェハの表面に保護テープを貼り付け、この状態で半導体ウェハの裏面を機械研磨して薄化し、機械研磨された半導体ウェハの裏面を液体で洗浄して研磨屑を除去する。そして洗浄後の半導体ウェハの裏面をプラズマエッチングして機械研磨において生じたダメージ層を除去した後に、保護テープを剥離するとともに半導体ウェハの裏面にダイシングテープを貼りつけ、この状態で半導体ウェハを切断して半導体素子単位に分割する。これにより、従来の湿式エッチングと比較して環境負荷が低減され、低コストの半導体装置の製造方法が実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の表面に回路パターンが作成された半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、半導体ウェハの表面に複数の半導体素子の回路パターンを作成する回路パターン作成工程と、前記回路パターンが作成された半導体ウェハの表面に保護テープを貼り付ける保護テープ貼り付け工程と、前記半導体ウェハの裏面を機械研磨して薄化する研磨工程と、機械研磨された半導体ウェハの裏面を液体で洗浄して前記研磨工程で生じた研磨屑を除去する洗浄工程と、前記洗浄工程で洗浄された半導体ウェハの裏面をプラズマエッチングすることにより前記機械研磨において生じたダメージ層を除去するダメージ層除去工程と、前記保護テープを剥離するとともに半導体ウェハの裏面にダイシングテープを貼りつけるダイシングテープ貼り付け工程と、前記ダイシングテープが貼り付けられた半導体ウェハを切断して前記半導体素子単位に分割するダイシング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 631
, H01L 21/3065
H01L 21/304 631
, H01L 21/302 N
5F004AA07
, 5F004BA04
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004BB19
, 5F004BB20
, 5F004BB25
, 5F004DA01
, 5F004DA18
, 5F004DA22
, 5F004FA08
