特許
J-GLOBAL ID：200903035183839407
樹脂表面への導電性被膜及び導電性回路パターンの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-323669
公開番号（公開出願番号）：特開2003-129247
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
要約：
【要約】【課題】 対象樹脂表面の必要な部分のみに金属イオンを吸着させることによる、導電性回路パターンの効率的且つ容易な形成方法を提供する。【解決手段】 少なくとも下記(1)〜(4)の5工程をこの順に経ることを特徴とする樹脂表面への導電性被膜の形成方法:(1)対象樹脂表面に、カルボキシル基及び/又はスルホニル基を有するネガ型レジスト層を形成する工程、(2)上記回路パターン上に残存する未硬化部分のカルボキシル基及び/又はスルホニル基と金属塩からの金属イオンとのイオン交換により、対象樹脂表面にカルボキシル基及び/又はスルホニル基の金属塩を生成させる工程、(3)上記カルボキシル基及び/又はスルホニル基の金属塩を還元して、対象樹脂表面に金属被膜を形成する工程、(4)上記金属被膜上に無電解メッキ及び/又は電解メッキを施して、対象樹脂表面に導電性被膜又は導電性回路パターンを形成する工程。
請求項（抜粋）：
少なくとも下記(1)〜(4)の4工程をこの順に経ることを特徴とする樹脂表面への導電性被膜の形成方法:(1)対象樹脂表面に、カルボキシル基及び/又はスルホニル基を有するネガ型レジスト層を形成する工程、(2)上記カルボキシル基及び/又はスルホニル基と金属塩からの金属イオンとのイオン交換により、対象樹脂表面にカルボキシル基及び/又はスルホニル基の金属塩を生成させる工程、(3)上記カルボキシル基及び/又はスルホニル基の金属塩を還元して、対象樹脂表面に金属被膜を形成する工程、(4)上記金属被膜上に無電解メッキ及び/又は電解メッキを施して、対象樹脂表面に導電性被膜を形成する工程。
IPC (7件)：
C23C 18/16
, C08J 7/04 CFG
, C23C 18/28
, C23C 18/40
, H05K 3/10
, H05K 3/18
, C08L 79:08
C23C 18/16 A
, C08J 7/04 CFG D
, C23C 18/28
, C23C 18/40
, H05K 3/10 E
, H05K 3/18 B
, H05K 3/18 D
, C08L 79:08 Z
4F006AA20
, 4F006AA22
, 4F006AA32
, 4F006AA33
, 4F006AA34
, 4F006AA36
, 4F006AA39
, 4F006AB38
, 4F006AB73
, 4F006BA06
, 4F006BA07
, 4F006CA08
, 4F006DA04
, 4F006EA01
, 4F006EA03
, 4F006EA05
, 4K022AA14
, 4K022AA15
, 4K022AA18
, 4K022AA20
, 4K022AA22
, 4K022AA24
, 4K022AA36
, 4K022AA42
, 4K022BA03
, 4K022BA08
, 4K022BA14
, 4K022BA31
, 4K022CA03
, 4K022CA06
, 4K022CA26
, 4K022DA01
, 4K022DA03
, 4K022DB03
, 5E343AA02
, 5E343AA12
, 5E343AA38
, 5E343AA39
, 5E343BB02
, 5E343BB03
, 5E343BB16
, 5E343BB24
, 5E343BB61
, 5E343BB71
, 5E343CC46
, 5E343CC63
, 5E343CC67
, 5E343CC71
, 5E343CC74
, 5E343DD33
, 5E343DD43
, 5E343ER07
, 5E343ER11
, 5E343ER42
, 5E343ER49
, 5E343GG11
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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