熱-電気直接変換装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：波多野久 , 関口俊三 , 猿渡章雄 , 古川潤一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-317324
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128522
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】熱-電気直接変換半導体と電極との接触面における拡散を防止し、発電性能を良好に維持することができる熱-電気直接変換装置を提供する。【解決手段】本発明に係る熱-電気直接変換装置は、p型半導体とn型半導体とからなる複数の熱-電気直接変換半導体対と、p型半導体とn型半導体とを電気的に接続する複数の高温側電極および低温側電極と、高温側電極を介して熱-電気直接変換半導体対と熱的に接続される高温側絶縁板と、低温側電極を介して熱-電気直接変換半導体対と熱的に接続される低温側絶縁板と、高温側電極および低温側電極の少なくとも一方と熱-電気直接変換半導体対を構成するp型半導体およびn型半導体の少なくとも一方との間に形成される拡散防止層と、複数の熱-電気直接変換半導体対を外気から遮断し、不活性ガス雰囲気に保持する気密筐体とを備えたことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p型半導体とn型半導体とからなる複数の熱-電気直接変換半導体対と、前記熱-電気直接変換半導体対の高温側端部において前記p型半導体とn型半導体とを電気的に接続する複数の高温側電極と、前記複数の高温側電極を介して前記複数の熱-電気直接変換半導体対と熱的に接続される高温側絶縁板と、前記熱-電気直接変換半導体対の低温側端部において前記p型半導体とn型半導体とを電気的に接続する複数の低温側電極と、前記複数の低温側電極を介して前記複数の熱-電気直接変換半導体対と熱的に接続される低温側絶縁板と、前記高温側電極および前記低温側電極の少なくとも一方と前記熱-電気直接変換半導体対を構成するp型半導体およびn型半導体の少なくとも一方との間に形成される拡散防止層と、前記高温側絶縁板を覆う金属蓋、前記複数の熱-電気直接変換半導体対の周囲を取り囲む金属枠および前記低温側絶縁板を具備して形成され、前記複数の熱-電気直接変換半導体対を外気から遮断するとともに内部を真空もしくは不活性ガス雰囲気に保持する気密筐体と、を備えたことを特徴とする熱-電気直接変換装置。

IPC (4件)：

H01L 35/32 , H01L 35/14 , H01L 35/34 , H02N 11/00

FI (4件)：

H01L35/32 A , H01L35/14 , H01L35/34 , H02N11/00 A

引用特許：

出願人引用 (5件)

熱電素子モジュール及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-283525 出願人：株式会社東芝
光伝送モジュール用パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-294752 出願人：京セラ株式会社
熱電装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-337506 出願人：ヤマハ株式会社

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審査官引用 (4件)

光伝送モジュール用パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-294752 出願人：京セラ株式会社
熱電装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-337506 出願人：ヤマハ株式会社
熱電モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-032445 出願人：株式会社小松製作所

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