磁気抵抗素子および磁気抵抗記憶素子および磁気メモリ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-163252
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115623
出願日： 2002年06月04日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】微細パタ-ン化された磁気抵抗素子および磁気抵抗記憶素子および磁気メモリにおけるMR値、接合抵抗値等の磁気抵抗特性のばらつきを抑制する。【解決手段】磁気抵抗素子は、非磁性層と、第1強磁性層および第2強磁性層と、第1電気伝導体と、第2電気伝導体と、絶縁体とを具備し、前記磁気抵抗素子は、前記第1電気伝導体から前記第1強磁性層、前記非磁性層および前記第2強磁性層を通って前記第2電気伝導体へ電流が流れることによって動作するようになっており、前記第1電気伝導体と前記第2電気伝導体とは、前記第1強磁性層、前記非磁性層および前記第2強磁性層を通って前記電流が流れることによって電気的接触を保つ以外は、前記絶縁体によって電気的に絶縁されており、前記絶縁体は、前記第1強磁性層の前記表面における周縁を被覆するように形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

非磁性層と、前記非磁性層を挟み込むようにそれぞれ形成された第1強磁性層および第2強磁性層と、前記第1強磁性層の前記非磁性層と反対側の表面における略中央に接触するように形成された第1電気伝導体と、前記第2強磁性層の前記非磁性層と反対側の表面に接触するように形成された第2電気伝導体と、少なくとも前記第1強磁性層と前記非磁性層との側面を覆うように形成された絶縁体とを具備する磁気抵抗素子であって、前記第1強磁性層および前記第2強磁性層の少なくとも一方は、前記第1強磁性層および前記第2強磁性層に平行な方向に沿って磁化されており、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層とのうちの一方は外部から印加される磁界に対して容易に磁化反転を起こしやすく、他方は前記外部から印加される磁界に対して磁化反転を起こしにくくなっており、前記磁気抵抗素子は、前記第1電気伝導体から前記第1強磁性層、前記非磁性層および前記第2強磁性層を通って前記第2電気伝導体へ電流が流れることによって動作するようになっており、前記第1電気伝導体と前記第2電気伝導体とは、前記第1強磁性層、前記非磁性層および前記第2強磁性層を通って前記電流が流れることによって電気的接触を保つ以外は、前記絶縁体によって電気的に絶縁されており、前記絶縁体は、前記第1強磁性層の前記表面における周縁を被覆するように形成されていることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , G11C 11/15 110 , H01L 27/105

FI (4件)：

H01L 43/08 Z , H01L 43/08 P , G11C 11/15 110 , H01L 27/10 447

Fターム (6件)：

5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083PR04 , 5F083PR05 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (4件)

スピントンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-120504 出願人：株式会社日立製作所
磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-072579 出願人：株式会社東芝
薄膜磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-213952 出願人：アルプス電気株式会社

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