特許
J-GLOBAL ID:200903035260293862

配線基板および半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-092665
公開番号(公開出願番号):特開平10-284844
出願日: 1997年04月11日
公開日(公表日): 1998年10月23日
要約:
【要約】【課題】 高密度実装が可能で、かつ接続などの信頼性も高い配線基板、および高密度実装回路装置の提供。【解決手段】 層間絶縁体1aとして樹脂を含有するベース配線基板1と、前記ベース配線基板1の少なくとも一方の主面上に形設された薄膜配線層2とを有する配線基板であって、前記ベース配線基板1の配線パターン層同士1b,1b、配線パターン層1b,1c間の電気的な接続は、層間絶縁体層1aを加圧によって貫挿した接続導体1dで成されていることを特徴とする配線基板である。
請求項(抜粋):
層間絶縁体として樹脂を含有するベース配線基板と、前記ベース配線基板の少なくとも一方の主面上に形設された薄膜配線層とを有する配線基板であって、前記ベース配線基板の配線パターン層間の電気的な接続は、層間絶縁体層を加圧によって貫挿した層間接続導体で成されていることを特徴とする配線基板。
IPC (3件):
H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/11
FI (5件):
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 1/11 N ,  H01L 23/12 L
引用特許:
審査官引用 (5件)
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