不揮発性メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-028511
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259334
出願日： 2005年02月04日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】電気的なデータの変更が困難な、セキュリティの高いOTPタイプの不揮発性メモリを提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、二つの状態を持ち、電気的に一方向への遷移のみが可能な記憶素子を用いたOTPタイプの不揮発性メモリにおいて、1ビットデータを記憶するメモリセルを、2つ以上の記憶素子を用いて構成することを要旨とし、本発明はH状態とL状態(以下単に「H」、「L」ともいう。)の2状態を持ち、電気的にはLからHへの一方向の遷移のみが可能な記憶素子を用いたOTPタイプの不揮発性メモリにおいて、1ビットデータを記憶するメモリセルを、2つ以上の記憶素子を用いて構成することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも電圧あるいは電流を印加することで電気特性の異なる第1状態から第2状態へのみ遷移が可能な一対の記憶素子を単位とし、一方の記憶素子が第1状態であり、他方の記憶素子が第2状態である2つの状態を用いて1ビットのデータを記憶するメモリセルを構成したことを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (8件)：

G11C16/02 , G11C16/04 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (6件)：

G11C17/00 601P , H01L27/12 B , G11C17/00 623Z , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L29/78 613B

Fターム (85件)：

5B125BA02 , 5B125BA09 , 5B125CA22 , 5B125DB20 , 5B125EB01 , 5B125FA07 , 5B125FA10 , 5F083EP18 , 5F083ER02 , 5F083ER09 , 5F083HA02 , 5F083HA10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR42 , 5F083PR52 , 5F083ZA12 , 5F101BA45 , 5F101BA46 , 5F101BC11 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BH21 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE27 , 5F110EE31 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG16 , 5F110GG24 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110HJ01 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP24 , 5F110PP34 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ23

引用特許：

出願人引用 (1件)

不揮発性メモリ及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-154977 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (8件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-056947 出願人：株式会社神戸製鋼所
特開平1-263997
特開平1-263997

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