特許

J-GLOBAL ID：200903035264641555

モールド、その製造方法および磁気記録媒体

発明者： 内田 真治
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-312058
公開番号（公開出願番号）：特開2008-126450
出願日： 2006年11月17日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：

【課題】ナノインプリントにより、より高い信号強度の信号を得ることができ、また、高いS/Nを得ることができる磁気記録媒体を安価に提供できるモールド、その製造方法およびこのモールドを用いて作製されてなる磁気記録媒体を提供する。【解決手段】ナノインプリントに用いるモールドの製造方法であって、基板の表面に形成したレジスト層に、凹凸パターンを有する親モールドを圧着後、親モールドを剥離してレジスト層に凹凸パターンを転写する転写工程と、転写工程により凹凸パターンの形成されたレジストの凹部において下の基板を露出させ、露出した基板をエッチングすることにより基板に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程を少なくとも有し、この凹凸パターン形成工程において、基板エッチング時に基板をサイドエッチすることを特徴とするモールドの製造方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ナノインプリントに用いるモールドの製造方法であって、基板の表面に形成したレジスト層に、凹凸パターンを有する親モールドを圧着後、親モールドを剥離してレジスト層に凹凸パターンを転写する転写工程と、転写工程により凹凸パターンの形成されたレジストの凹部において下の基板を露出させ、露出した基板をエッチングすることにより基板に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程を少なくとも有し、この凹凸パターン形成工程において、基板エッチング時に基板をサイドエッチすることを特徴とするモールドの製造方法。

IPC (4件)：

B29C 33/38 ,  G11B 5/65 ,  H01L 21/027 ,  B81C 5/00

FI (4件)：

B29C33/38 ,  G11B5/65 ,  H01L21/30 502D ,  B81C5/00

Fターム (19件)：

4F202AF01 ,  4F202AH38 ,  4F202AJ06 ,  4F202AJ07 ,  4F202AJ09 ,  4F202CA19 ,  4F202CB01 ,  4F202CB29 ,  4F202CD02 ,  4F202CD24 ,  4F202CK11 ,  5D006BB07 ,  5D006DA03 ,  5D006EA00 ,  5D006FA00 ,  5D112AA05 ,  5D112AA24 ,  5D112GA00 ,  5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ナノプリンティング用の成形型、そのような成形型を製造するための方法、およびそのような成形型の使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-130550   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク, セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
• モールド電子デバイス部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-335703   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 金属配線のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-233912   出願人：富士電機ホールディングス株式会社