特許

J-GLOBAL ID：200903035278773772

半導体装置

発明者： 近藤 正樹 ,  勝又 竜太
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-382384
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214413
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】オフリーク電流が1×10-16アンペア以下で、なおかつゲート長が0.1μm以下の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1導電型の半導体基板11上に形成された凸型半導体領域FIN、凸型半導体領域の少なくとも対向する側面上にゲート絶縁膜GOXを介して形成されたゲート電極G、ゲート電極を挟むように凸型半導体領域中に形成された第2導電型のソース・ドレイン領域S,D、ソース・ドレイン領域間の凸型半導体領域中に形成された第1導電型のチャネル領域CH、及び凸型半導体領域を挟む半導体基板上に形成された素子分離絶縁膜とを有するフィン型トランジスタを備える。そして、凸型半導体領域の幅をTFIN、チャネル領域の不純物濃度をNCH、凸型半導体領域を構成する半導体材料の誘電率をε、素電荷をqとしたとき、TFIN≧(ε/4qNCH)1/2の関係を満たすことを特徴としている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に形成された凸型半導体領域と、 前記凸型半導体領域の少なくとも対向する側面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極を挟むように、前記凸型半導体領域中に形成された第2導電型のソース領域及びドレイン領域と、 前記ソース領域及びドレイン領域間の前記凸型半導体領域中に形成された第1導電型のチャネル領域と、 前記凸型半導体領域を挟む前記半導体基板上に形成された素子分離絶縁膜とを有するフィン型トランジスタを備え、 前記凸型半導体領域の幅をTFIN、前記チャネル領域の不純物濃度をNCH、前記凸型半導体領域を構成する半導体材料の誘電率をε、素電荷をqとしたとき、 TFIN≧(ε/4qNCH)1/2 の関係を満たすことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

FI (7件)：

H01L29/78 301H ,  H01L29/78 618C ,  H01L27/10 625A ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 681F ,  H01L29/78 301X ,  H01L27/08 102A

Fターム (95件)：

5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB07 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BD06 ,  5F048BH01 ,  5F083AD01 ,  5F083AD03 ,  5F083AD04 ,  5F083AD17 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083JA35 ,  5F083JA53 ,  5F083NA01 ,  5F083PR06 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA02 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA06 ,  5F083ZA07 ,  5F110AA06 ,  5F110BB06 ,  5F110CC02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG28 ,  5F110GG30 ,  5F110GG32 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F140AA24 ,  5F140AB01 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BB05 ,  5F140BC06 ,  5F140BC15 ,  5F140BC17 ,  5F140BD09 ,  5F140BE07 ,  5F140BE13 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF42 ,  5F140BF44 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG34 ,  5F140BG53 ,  5F140BH02 ,  5F140BH05 ,  5F140BH15 ,  5F140BH40 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-232506   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-263473
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-017177   出願人：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-297672   出願人：株式会社東芝