特許
J-GLOBAL ID：200903035294244909

不揮発性半導体格納装置

発明者：
本 間 充 祥

本 間 充 祥 について

, 
柴 田 昇

柴 田 昇 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-244595
公開番号（公開出願番号）：特開2008-065939
出願日： 2006年09月08日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】データの出力の高速化を図ることが可能な不揮発性半導体格納装置を提供する。【解決手段】不揮発性半導体格納装置100は、それぞれのxビットの情報は、隣接するしきい値電圧に対応するx(xは3以上の整数)ビットの情報の間で1ビットだけ相違し、しきい値電圧間には、各しきい値電圧間に対応して2x-1個の前記読み出し電圧が設定され、これらの読み出し電圧をワード線に印可することにより前記メモリセルに格納されたxビットの情報を確定し、xビット中のそれぞれのビットに対して情報を確定するために、少なくとも2個以上の読み出し電圧が設定されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
選択行方向のワード線と選択列方向のビット線とに接続され、異なるx(xは3以上の整数)ビットの情報が2x個のしきい値電圧に対応して格納され、読み出し電圧を前記ワード線に印可することにより各xビットの情報を読み出し可能な複数のメモリセルを有し、このメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、 前記ワード線に接続され、前記ワード線に電圧を供給し前記メモリセルを動作させるためのロウデコーダと、 前記ビット線に接続され、前記メモリセルに格納されたデータを読み出し、この読み出されたデータ及び前記メモリセルに書き込んだデータを保持するセンスアンプ装置と、を備え、 それぞれの前記xビットの情報は、隣接するしきい値電圧に対応するxビットの情報の間で1ビットだけ相違し、 前記しきい値電圧間には、各しきい値電圧間に対応して2x-1個の前記読み出し電圧が設定され、これらの読み出し電圧を前記ワード線に印可することにより前記メモリセルに格納された前記xビットの情報を確定し、 xビット中のそれぞれのビットに対して情報を確定するために、少なくとも2個以上の読み出し電圧が設定されている ことを特徴とする不揮発性半導体格納装置。
IPC (3件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04
FI (4件)：
G11C17/00 633B ,  G11C17/00 613 ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 622E
Fターム (11件)：
5B125BA03 ,  5B125BA19 ,  5B125CA01 ,  5B125DA03 ,  5B125DA09 ,  5B125DB02 ,  5B125EA01 ,  5B125EA05 ,  5B125EC06 ,  5B125EF04 ,  5B125EH04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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